【技术实现步骤摘要】
本技术涉及物理气相沉积装置，具体涉及一种便于冷却的物理气相沉积装置。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，在顶层金属或其他特殊的地方，通常需要沉积比较厚的铝或铝合金以满足工艺或器件的需要。铝&铝合金制造工艺常见的是物理气相沉积的方法，在物理气相沉积过程中，由于等离子体对靶材进行轰击的同时，也会对晶圆产生轰击，会导致晶圆温度的升高，因此在沉积比较厚的铝或铝合金时，沉积的时间太长会导致晶圆温度过高，出现晶圆被粘附在载片台的情况，进而导致晶圆碎片率增加。因此，需要一种方案，来提高晶圆在沉积过程的冷却效果，防止晶圆被粘附在载片台上，降低了晶圆粘附的几率，进而降低晶圆的破片率。
技术实现思路
1、因此，本技术提供一种便于冷却的物理气相沉积装置，以解决现有技术中物理气相沉积铝或者铝合金的工艺时间太长，导致晶圆温度过高，出现晶圆被粘附在载片台的情况，进而导致晶圆碎片率增加的问题。
2、本技术提供一种便于冷却的物理气相沉积装置，用于进行含铝金属在半导体基体上的物理气相沉积，其特征在于，至
【技术保护点】
1.一种便于冷却的物理气相沉积装置，用于进行含铝金属在半导体基体上的物理气相沉积，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的便于冷却的物理气相沉积装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的便于冷却的物理气相沉积装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的便于冷却的物理气相沉积装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的便于冷却的物理气相沉积装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的便于冷却的物理气相沉积装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的便于冷却的物理气相沉积装置，其特征在于，<...
【技术特征摘要】
1.一种便于冷却的物理气相沉积装置，用于进行含铝金属在半导体基体上的物理气相沉积，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的便于冷却的物理气相沉积装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的便于冷却的物理气相沉积装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的便于冷却的物理气相沉积装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的便于冷却的物理气相沉积装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：靳安安，弓冰，苏忠州，
申请(专利权)人：浙江芯晟半导体科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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