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本技术涉及一种便于冷却的物理气相沉积装置,至少包括:转运腔体,转运腔体为中空的多棱柱,具有多个侧面,每个所述转运腔体的侧面设置有对应的至少一个输送通道;第一工艺腔体,位于转运腔体的第一侧面的外侧,通过输送通道与转运腔体的第一侧面连接;第一冷...该专利属于浙江芯晟半导体科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江芯晟半导体科技有限责任公司授权不得商用。
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本技术涉及一种便于冷却的物理气相沉积装置,至少包括:转运腔体,转运腔体为中空的多棱柱,具有多个侧面,每个所述转运腔体的侧面设置有对应的至少一个输送通道;第一工艺腔体,位于转运腔体的第一侧面的外侧,通过输送通道与转运腔体的第一侧面连接;第一冷...