【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理方法，更详细而言，显著减少用于消除工艺配方(processrecipe)和清洁配方(clean recipe)之间的温度差而进行的温度的上升及下降中所必需的延迟时间，以能够对生产效率的提高做出贡献的基板处理方法。
技术介绍
1、在半导体装置制造工艺中，可以对基板进行蚀刻、沉积或其他各种处理。例如，在基板处理系统中，为了在基板上形成薄膜，会进行原子层沉积技术(atomic layerdeposition，ald)、等离子增强型原子层沉积设备(plasma enhanced atomic layerdeposition，peald)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、等离子体化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)等各种沉积工艺、蚀刻工艺或其他工艺，在工艺腔体内，通常施加用于形成等离子体的射频(radio frequency，rf)电场。
2、如上所述，在使用等离子体的制造工艺中，用于工艺的成膜材...
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，其中，
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述工艺配方在所述沉积步骤之前还包括使用于所述沉积步骤的气体供应量稳定化的稳定化步骤。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述工艺配方在所述吹扫步骤和所述泵送步骤之间还包括将所述基板恢复到原位置的原点定位步骤。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述清洁配方在所述吹扫步骤和所述温度上升步骤之间还包括在所述腔体的内壁形成预涂膜的预涂层步骤。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述加热器的温度从所述...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其中，
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述工艺配方在所述沉积步骤之前还包括使用于所述沉积步骤的气体供应量稳定化的稳定化步骤。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述工艺配方在所述吹扫步骤和所述泵送步骤之间还包括将所述基板恢复到原位置的原点定位步骤。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述清洁配方在所述吹扫步骤和所述温度上升步骤之间还包括在所述腔体的内壁形成预涂膜的预涂层步骤。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述加热器的温度从所述温度下降步骤开始下降，直到下降至执行所述清洁配方的温度为止。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，从执行所述工艺配方后到执行所述清洁配方之前为止的延迟时间为8～12分钟。
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔僖洙，朴绍延，金在贤，李圣徒，严基领，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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