全平面式宽能带叠接开关装置制造方法及图纸

一种全平面式宽能带叠接开关装置，包含：一源极端子；一栅极端子；一漏极端子；一平面式增强型硅半导体开关，其具有一第一源极电极、一第一漏极电极及一第一栅极电极；以及一平面式耗尽型宽能带半导体开关，其与平面式增强型硅半导体开关横向间隔设置并叠接，且具有一第二源极电极、一第二漏极电极及一第二栅极电极。该平面式增强型硅半导体开关的该第一源极电极、该第一漏极电极及该第一栅极电极与该平面式耗尽型宽能带半导体开关的该第二源极电极、该第二漏极电极及该第二栅极电极具有相同的垂直导向，以面向相同的一侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种全平面式宽能带叠接开关装置，特别涉及一种使用具有相同的垂直导向的平面式耗尽型宽能带半导体开关及平面式增强型硅半导体开关的开关装置。

技术介绍

1、近年来，氮化镓叠接(gan cascode)开关装置广泛用于消费性电子产品、自动化和控制系统、通讯系统及电动车领域。

2、氮化镓叠接开关装置适用于电压介于600～900伏特(v)及电流介于20～60安培(a)的电力开关系统。然而，氮化镓叠接开关装置的开关频率(switching frequency)及可靠性(reliability)受限于元件及封装架构，因此难有明显的提升。

3、有鉴于此，如何提升氮化镓叠接开关装置的开关频率及可靠性，以符合各式各样的应用需求，属于业界亟需解决的课题。

技术实现思路

1、本专利技术的一目的在于，提供一全平面式宽能带叠接开关装置，其通过使用具有相同的垂直导向的平面式耗尽型宽能带半导体开关及平面式增强型硅半导体开关来提升开关频率及可靠性。因此，相对于已知的氮化镓叠接开关装置，本专利技术的全平面式宽本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全平面式宽能带叠接开关装置，包含：

2.如权利要求1所述的全平面式宽能带叠接开关装置，其中，该平面式耗尽型宽能带半导体开关为一耗尽型氮化镓高电子移动率晶体管及碳化硅接面场效晶体管其中之一。

3.如权利要求1所述的全平面式宽能带叠接开关装置，其中，该平面式增强型硅半导体开关为一增强型金氧半场效晶体管。

4.如权利要求1所述的全平面式宽能带叠接开关装置，其中，该平面式增强型硅半导体开关的该第一源极电极、该第一漏极电极及该第一栅极电极以及该平面式耗尽型宽能带半导体开关的该第二源极电极、该第二漏极电极及该第二栅极电极垂直朝上导向。</p>

5.如权...

【技术特征摘要】

1.一种全平面式宽能带叠接开关装置，包含：

2.如权利要求1所述的全平面式宽能带叠接开关装置，其中，该平面式耗尽型宽能带半导体开关为一耗尽型氮化镓高电子移动率晶体管及碳化硅接面场效晶体管其中之一。

3.如权利要求1所述的全平面式宽能带叠接开关装置，其中，该平面式增强型硅半导体开关为一增强型金氧半场效晶体管。

4.如权利要求1所述的全平面式宽能带叠接开关装置，其中，该平面式增强型硅半导体开关的该第一源极电极、该第一漏极电极及该第一栅极电极以及该平面式耗尽型宽能带半导体开关的该第二源极电极、该第二漏极电极及该第二栅极电极垂直朝上导向。

5.如权利要求4所述的全平面式宽能带叠接开关装置，其中，该源极端子、该栅极端子、漏极端子、该平面式增强型硅半导体开关的该第一源极电极、该第一漏极电极及该第一栅极电极以及该平面式耗尽型宽能带半导体开关的该第二源极电极、该第二漏极电极及该第二栅极电极之间通过打线来耦合。

6.如权利要求4所述的全平面式宽能带叠接开关装置，其中，该源极端子、该栅极端子、漏极端子、该平面式增强型硅半导体开关的该第一源极电极、该第一漏极电极及该第一栅极电极以及该平面式耗尽型宽能带半导体开关的该第二源极电极、该第二漏极电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王地宝，钟瑞伦，
申请(专利权)人：台亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：