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一种全平面式宽能带叠接开关装置，包含：一源极端子；一栅极端子；一漏极端子；一平面式增强型硅半导体开关，其具有一第一源极电极、一第一漏极电极及一第一栅极电极；以及一平面式耗尽型宽能带半导体开关，其与平面式增强型硅半导体开关横向间隔设置并叠接，...
该专利属于台亚半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台亚半导体股份有限公司授权不得商用。

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