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本发明涉及基板处理方法，所述方法包括交替适用的工艺配方及清洁配方，所述工艺配方包括：沉积步骤，在设置于腔体内的加热器上部的基板上形成薄膜；温度下降步骤，使所述加热器的温度下降；吹扫步骤，对所述腔体内部进行吹扫；以及泵送步骤，使所述腔体内部的...
该专利属于盛吉盛（韩国）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛吉盛（韩国）半导体科技有限公司授权不得商用。

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