掩模版缺陷检测方法、装置及机台制造方法及图纸

本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种掩模版缺陷检测方法、装置及机台。方法包括：获取目标掩模版的待测缺陷的第一待测缺陷信息；获取预设缺陷名单，预设缺陷名单包括多个预设缺陷信息；在预设缺陷名单中查找第一待测缺陷信息；在待测缺陷的第一待测缺陷信息记载于预设缺陷名单的情况下，过滤第一待测缺陷信息。通过设置预设缺陷名单，从而获得缺陷白名单。之后，通过确定待测缺陷的第一待测缺陷信息是否位于预设缺陷名单中，可以快速确定待测缺陷是否影响目标掩模版的正常工艺。进一步的，在待测缺陷的第一待测缺陷信息记载于预设缺陷名单的情况下，认为该待测缺陷不影响掩模版的正常使用，可以过滤第一待测缺陷信息，检测机台不报警。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种掩模版缺陷检测方法、装置及机台。

技术介绍

1、在半导体设备的实际生产中，需要高频度使用掩模版。这使得掩模版上难免会出现缺陷（particle）掉落在膜面的现象。这会影响正常光刻工艺。因此，常需要对掩模版进行检测。

2、有时，缺陷会位于在非工作区域，并且该缺陷不会影响正常工艺。为了不影响产能，该缺陷所在的掩模版可以正常使用。但是，由于缺陷依然存在，在对掩模版进行检测时，检测机台会对这类掩模版触发报警，影响半导体制备效率。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中的半导体制备效率较低的问题提供一种掩模版缺陷检测方法、装置及机台。

2、为了实现上述目的，一方面，提供了一种掩模版缺陷检测方法，包括：

3、获取目标掩模版的待测缺陷的第一待测缺陷信息；

4、获取预设缺陷名单，所述预设缺陷名单包括至少一个预设缺陷信息；

5、在所述预设缺陷名单中查找所述第一待测缺陷信息；

6、在所述待测缺陷的第一待测缺陷信息记载本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种掩模版缺陷检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述在所述预设缺陷名单中查找所述第一待测缺陷信息之后，包括：

3.根据权利要求2所述的掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述对所述新缺陷进行重复性缺陷测试之后，包括：

4.根据权利要求1所述的掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷信息包括尺寸信息和/或位置信息。

5.根据权利要求1所述的掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷信息包括尺寸信息；

6.根据权利要求5所述的掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述在所述第二待测缺陷信息...

【技术特征摘要】

1.一种掩模版缺陷检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述在所述预设缺陷名单中查找所述第一待测缺陷信息之后，包括：

3.根据权利要求2所述的掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述对所述新缺陷进行重复性缺陷测试之后，包括：

4.根据权利要求1所述的掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷信息包括尺寸信息和/或位置信息。

5.根据权利要求1所述的掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷信息包括尺寸信息；

6.根据权利要求5所述的掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述在所述第二待测缺陷信息中的尺寸不大于所述缺陷管控规格尺寸的情况下，基于预设误差范围和所述待测缺陷的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：万佳俊，方斌，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：