太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，具体提供太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括：半导体衬底层；第一掺杂半导体层，位于半导体衬底层的一侧；第二掺杂半导体层，位于半导体衬底层的另一侧，第二掺杂半导体层的导电类型与第一掺杂半导体层的导电类型相反；第一透明导电层，位于第一掺杂半导体层背离半导体衬底层的一侧表面，第一透明导电层包括第一子透明导电层和第二子透明导电层，第一子透明导电层位于第一掺杂半导体层和第二子透明导电层之间，第二子透明导电层的材料包括二氧化锡、氧化钽的混合物以及金属元素；第二透明导电层，位于第二掺杂半导体层背离半导体衬底层的一侧表面。本发明专利技术的太阳能电池可同时兼顾光电转换效率高和成本低。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、随着不可再生能源的频频告急，太阳能作为新能源为全球的能源结构提供了新的可能性。太阳能取之不尽用之不竭，解决了能源不足的后顾之忧。太阳能电池是实现光能到电能转换的重要器件，异质结电池是目前最具前景的一种太阳能电池。

2、现有技术中异质结电池的透明导电膜的材料普遍使用氧化锡和氧化铟的混合物(ito)，因具有优良的光电性能，但ito中的铟的储量有限，价格昂贵，且有毒，使得透明导电膜的材料占异质结电池为非硅成本的第二位，仅次于银浆；此外无铟靶材多为氧化铝和氧化锌的混合物(azo)，由于其光学和电学性能均低于ito，不适合用于异质结电池的正面透明导电膜，多用于背面透明导电膜，其材料本身功函数较低，约3.4ev-4.5ev，而与p型掺杂半导体层接触需要高功函数，接触性能不佳，因此需要搭配ito，做成层叠ito/azo/ito的复合膜，由于azo占整个背面透明导电膜的厚度不超过50%，因此降本效果不佳，并且会降低电池效率超过0.2%。

3、因此，克服现有技术中的太阳能电池无法同时兼顾光电转换效率低以及成本高的缺陷，是目前本领域技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，以所述第一透明导电层的总厚度为基准，所述第一子透明导电层的厚度为所述第一透明导电层的总厚度的25~50%；所述第二子透明导电层的厚度为所述第一透明导电层的总厚度的50~75%；

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二透明导电层包括层叠设置的第三子透明导电层和第四子透明导电层；其中，所述第三子透明导电层设置于所述第二掺杂半导体层与所述第四子透明导电层之间。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第四子透明导电层的材料包括二氧化锡、氧化钽...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，以所述第一透明导电层的总厚度为基准，所述第一子透明导电层的厚度为所述第一透明导电层的总厚度的25~50%；所述第二子透明导电层的厚度为所述第一透明导电层的总厚度的50~75%；

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二透明导电层包括层叠设置的第三子透明导电层和第四子透明导电层；其中，所述第三子透明导电层设置于所述第二掺杂半导体层与所述第四子透明导电层之间。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第四子透明导电层的材料包括二氧化锡、氧化钽和第二金属元素；所述第二金属元素选自锑元素、锌元素、钛元素、铌元素、镁元素、镓元素、钼元素和铈元素中的一种或几种；

5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，以所述第二透明导电层的总厚度为基准，所述第三子透明导电层的厚度为所述第二透明导电层的总厚度的25~50%；所述第四子透明导电层的厚度为所述第二透明导电层的总厚度的50~75%。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂半导体层包括非晶硅、纳米晶硅、掺氧非晶硅、掺氧纳米晶硅、掺碳非晶硅和掺碳纳米晶硅中的一种或几种；所述第一掺杂半导体层还掺杂第一导电离子；可选地，所述第一导电离子包括磷离子；优选地，所述第一掺杂半导体层的导电类型为n型；

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂半导体层的厚度为10~20nm；所述第二掺杂半导体层的厚度为10~30nm；所述半导体衬底层的厚度为80~180μm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛科，于长悦，萧吉宏，
申请(专利权)人：安徽华晟新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：