【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于制造半导体结构元件的方法以及这样的半导体结构元件、尤其是晶体管、尤其是所谓的沟槽mosfet。
技术介绍
1、场效应晶体管、尤其是所谓的mosfet或misfet用于不同领域中。其中一种变型是所谓的沟槽mosfet或者t-mosfet，在所述沟槽mosfet或者t-mosfet中，通道竖直地构造。在此，例如n掺杂的源极层和位于该n掺杂的源极层与n掺杂的漂移层之间的通道层通过沟道(英语“trenches”)中断；在这样的沟道中，随后布置栅极。
技术实现思路
1、根据本专利技术，提出一种用于制造半导体结构元件的方法以及一种半导体结构元件。有利的构型方案是下述描述的主题。
2、本专利技术研究半导体结构元件、例如尤其是场效应晶体管、更确切地说尤其是具有沟道或沟槽的半导体结构元件及其制造。在半导体材料方面，使用不同类型的掺杂，即n掺杂和p掺杂，其中，不同部件可以以不同方式被掺杂。下面，为了更好地理解，场效应晶体管应借助确定类型的掺杂来描述，n掺杂应是第一类型掺杂，p...
【技术保护点】
1.用于制造半导体结构元件(200a、200b、300、400)、尤其是晶体管的方法，所述方法包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述屏蔽区域的构造包括：
3.根据权利要求1或者2所述的方法，所述方法另外包括，在构造所述屏蔽区域之前：
4.根据权利要求2和3所述的方法，所述方法另外包括，在构造所述第一子屏蔽区域之后并且在构造所述第二子屏蔽区域之前：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述屏蔽区域的构造包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在构造所述栅极沟道之前，构造所述第一子屏蔽区域(...
【技术特征摘要】
1.用于制造半导体结构元件(200a、200b、300、400)、尤其是晶体管的方法，所述方法包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述屏蔽区域的构造包括：
3.根据权利要求1或者2所述的方法，所述方法另外包括，在构造所述屏蔽区域之前：
4.根据权利要求2和3所述的方法，所述方法另外包括，在构造所述第一子屏蔽区域之后并且在构造所述第二子屏蔽区域之前：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述屏蔽区域的构造包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在构造所述栅极沟道之前，构造所述第一子屏蔽区域(116)和...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·马丁内斯利米亚，D·克雷布斯，D·科斯特凯斯库，H·鲍托尔夫，JH·阿尔斯迈尔，K·海耶斯，S·施魏格尔，W·法伊勒，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。