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本发明涉及太阳能电池技术领域,具体提供太阳能电池及其制备方法,太阳能电池包括:半导体衬底层;第一掺杂半导体层,位于半导体衬底层的一侧;第二掺杂半导体层,位于半导体衬底层的另一侧,第二掺杂半导体层的导电类型与第一掺杂半导体层的导电类型相反;第...该专利属于安徽华晟新能源科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽华晟新能源科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及太阳能电池技术领域,具体提供太阳能电池及其制备方法,太阳能电池包括:半导体衬底层;第一掺杂半导体层,位于半导体衬底层的一侧;第二掺杂半导体层,位于半导体衬底层的另一侧,第二掺杂半导体层的导电类型与第一掺杂半导体层的导电类型相反;第...