【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，更具体地说，涉及一种沟槽型ldmos器件及其制作方法。
技术介绍
1、ldmos(laterally diffused metal oxide semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)，是一种特殊类型的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，其采用双扩散技术，在同一窗口相继进行硼磷两次扩散，由两次杂质扩散横向结深之差可精确地决定沟道长度。与双极型晶体管相比，ldmos管的增益更高，ldmos管的增益可达14db以上，而双极型晶体管在5～6db，采用ldmos管的pa模块的增益可达60db左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
2、在使用过程中，ldmos器件在关闭时需要承受高电压，ldmos器件能够承受的最高电压又称为击穿电压。ldmos器件的耐压能力主要是由一定长度的轻掺杂第一导电型漂移区决定的，其中耐压部分是p+/n-n+结构的单边突变结pin。为了提高器件的击穿电压，需要增加漂移区的长度并降低漂移区的掺杂浓度或对ldmos器件结构做出其他改变。
3、为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种沟槽型LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底表面的第一导电型漂移区，所述第一导电型漂移区的一侧侧壁设置有栅区，所述栅区附近设置有源区，所述源区下方并位于所述栅区附近的第一导电型漂移区内设置有第二导电型沟道区，所述第一导电型漂移区的另一侧设置有漏区，其特征在于，所述源区和漏区之间的第一导电型漂移区设置有沟槽，所述沟槽的内壁设置有沟槽介质层，所述沟槽内依次填充有二氧化硅层和位于所述二氧化硅层表面并充满所述沟槽的低介电常数层。
2.根据权利要求1所述的沟槽型LDMOS器件，其特征在于，所述二氧化硅层和低介电常数层的体积占比为1：1。
...【技术特征摘要】
1.一种沟槽型ldmos器件，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底表面的第一导电型漂移区，所述第一导电型漂移区的一侧侧壁设置有栅区，所述栅区附近设置有源区，所述源区下方并位于所述栅区附近的第一导电型漂移区内设置有第二导电型沟道区，所述第一导电型漂移区的另一侧设置有漏区，其特征在于，所述源区和漏区之间的第一导电型漂移区设置有沟槽，所述沟槽的内壁设置有沟槽介质层，所述沟槽内依次填充有二氧化硅层和位于所述二氧化硅层表面并充满所述沟槽的低介电常数层。
2.根据权利要求1所述的沟槽型ldmos器件，其特征在于，所述二氧化硅层和低介电常数层的体积占比为1：1。
3.根据权利要求1所述的沟槽型ldmos器件，其特征在于，所述沟槽介质层的制作材料为高介电常数材料。
4.根据权利要求1所述的沟槽型ldmos器件，其特征在于，所述第二导电型沟道区位于所述源区的下方，一侧与...
【专利技术属性】
技术研发人员：许凯，蔡豪，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：
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