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本发明涉及一种沟槽型LDMOS器件及其制作方法，所述沟槽型LDMOS器件的源区和漏区之间设置有沟槽，所述沟槽的内壁设置有沟槽介质层，所述沟槽内依次填充有二氧化硅层和位于所述二氧化硅层表面并充满所述沟槽的低介电常数层。由于低介电常数层和二氧化...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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