【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件。
技术介绍
1、在现代社会中，功率半导体器件（power semiconductor device）在各种领域（诸如，运输领域（例如，电动车辆、火车和有轨电车）、可再生能源系统（例如，太阳能发电和风力发电）和移动装置）中正变得越来越重要。功率半导体器件是可用于处理高电压或高电流并且在大功率系统和高功率电子装置中执行功能（诸如，功率转换和控制）的半导体器件。功率半导体器件具有处理高功率的能力和耐久性，允许它们处理大量电流并承受高电压。例如，功率半导体器件可处理数百至数千伏特的电压和数十至数千安培的电流。功率半导体器件可通过使功率损失最小化来提高电能的效率。另外，功率半导体器件可在诸如高温的环境下稳定地被驱动。
2、这些功率半导体器件可按它们的材料进行分类，并且例如包括sic功率半导体器件和gan功率半导体器件。代替传统的硅（si）晶片，sic或gan可用于制造功率半导体器件，从而可补偿硅在高温下具有不稳定特性的缺点。sic功率半导体器件耐高温并且具有低功率损失，使得它们适用于电动车辆、可再生能源系统等。g...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极的所述n个侧表面包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极的所述n个侧表面相对于栅电极的下表面的角度从栅电极的从下表面延伸的第n侧表面至栅电极的从上表面向下延伸的第一侧表面逐渐增大。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一沟槽包括：
8.根据权利要求7所述的半...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极的所述n个侧表面包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极的所述n个侧表面相对于栅电极的下表面的角度从栅电极的从下表面延伸的第n侧表面至栅电极的从上表面向下延伸的第一侧表面逐渐增大。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一沟槽包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，第一沟槽的所述n个侧壁包括：
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，第一沟槽的所述n个侧壁相对于第一沟槽的底表面的角度从第一沟槽的从第一沟槽的底表面延伸的第n侧壁至第一沟槽的设置在第一沟槽的顶部的第一侧壁逐渐增大。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，第二导电类型掺杂阱区包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴俊赫，金钟燮，朴永焕，吴在浚，赵斗衡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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