半导体结构元件和用于制造半导体结构元件的方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构元件、尤其是晶体管，具有：第一类型掺杂的源极层、尤其是第二类型掺杂的通道层、第一类型掺杂的漂移区域、衬底层；通道层位于源极层和衬底层之间，并且尤其是邻接源极层，漂移区域位于通道层和衬底层之间，半导体结构元件此外具有栅极沟槽，栅极沟槽在垂直的方向上从源极层朝向漂移区域延伸并且邻近通道层和源极层的至少一部分，半导体结构元件此外具有第二类型掺杂的屏蔽区域，屏蔽区域在垂直的方向上从源极层朝向漂移区域延伸，邻接通道层和源极层并且在横向上与栅极沟槽分开，漂移区域包括多个第一类型掺杂的漂移层，漂移层分别具有不同的掺杂浓度。本发明专利技术还涉及一种用于制造半导体结构元件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构元件、尤其是一种晶体管、例如所谓的沟槽式misfet以及一种用于制造这样的半导体结构元件的方法。

技术介绍

1、如场效应晶体管(fet)、尤其是所谓的mosfet或者misfet这样的半导体结构元件使用在不同的领域中。其中的一种变型是所谓的沟槽式misfet或者t-misfet，在所述沟槽式misfet或者t-misfet中，通道垂直地构造。在这里，通过沟槽(英语：“trenches”)使例如n型掺杂的源极层和位于其与n型掺杂的漂移层之间的通道层打通；然后将栅极电极布置在这样的沟槽中。

技术实现思路

1、根据本专利技术，提出一种半导体结构元件和一种用于制造半导体结构元件的方法。有利的构型在下文中描述。

2、本专利技术涉及一种半导体结构元件、尤其是晶体管，其具有：

3、-第一类型掺杂的源极层，

4、-尤其是第二类型掺杂的通道层，

5、-第一类型掺杂的漂移区域，

6、-衬底层，

7、其中，所述通道层位于所述源极层和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.半导体结构元件(200)、尤其是晶体管，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体结构元件(200)，其中，所述多个漂移层包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构元件(200)，其中，所述第四漂移层(222)具有与所述第一漂移层相同的或者更小的掺杂浓度，或者，其中，所述第四漂移层具有比所述第一漂移层更高的掺杂浓度。

4.根据权利要求2或3所述的半导体结构元件(200)，其特征在于，所述半导体结构元件此外具有布置在所述衬底层上的第一类型掺杂的缓冲层(101a)，所述第一类型掺杂的缓冲层位于所述第一漂移层和所述衬底层之间，

<p>5.根据以上权利...

【技术特征摘要】

1.半导体结构元件(200)、尤其是晶体管，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体结构元件(200)，其中，所述多个漂移层包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构元件(200)，其中，所述第四漂移层(222)具有与所述第一漂移层相同的或者更小的掺杂浓度，或者，其中，所述第四漂移层具有比所述第一漂移层更高的掺杂浓度。

4.根据权利要求2或3所述的半导体结构元件(200)，其特征在于，所述半导体结构元件此外具有布置在所述衬底层上的第一类型掺杂的缓冲层(101a)，所述第一类型掺杂的缓冲层位于所述第一漂移层和所述衬底层之间，

5.根据以上权利要求中任一项所述的半导体结构元件(200)，所述半导体结构元件此外包括第二类型掺杂的另外的屏蔽区域(217)，所述第二类型掺杂的另外的屏蔽区域在垂直的方向上在所述栅极沟槽(103)下方延伸至所述漂移区域(220)或者延伸到所述漂移区域(220)中，其中，所述另外的屏蔽区域(117...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·马丁内斯利米亚，D·科斯特凯斯库，H·鲍托尔夫，JH·阿尔斯迈尔，S·施魏格尔，W·法伊勒，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：