【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅生产，特别涉及一种拉制重掺磷硅单晶后的排气方法。
技术介绍
1、半导体行业中，单晶炉是硅单晶生长的重要设备，单晶炉内的石英坩埚用来盛放多晶，在多晶中加入一定量的掺杂剂，通过熔化、引晶、放肩、转肩、等径生长、收尾等过程，就能生产出符合客户要求的产品。
2、随着集成电路技术和应用的发展，特别是功率器件对功耗的要求越来越低，对单晶硅衬底提出了更低的电阻率要求。掺杂剂在硅中的固溶度决定了该型单晶衬底的极限电阻率，目前行业中n型硅单晶的掺杂剂主要是砷和锑，但是掺入砷和锑元素后，得到的单晶硅的电阻率往往达不到所需要求。而由于磷在硅晶格中具有更大的固溶度，这有助于得到电阻率更低的单晶硅，故而重掺磷硅单晶应运而生，市场需求也越来越大。
3、然而，掺杂所需的红磷燃点很低，重掺磷单晶在掺杂和拉制过程中，部分掺杂剂红磷挥发与其氧化物五氧化二磷会一起混合沉积附着在真空管道内。当生产结束时，如果打开上炉筒和下炉筒之间的隔离阀门，大量空气会进入管道后与磷混合物中的红磷产生化学发应，会使得磷混合物发生自燃，尤其是吸附在排气...
【技术保护点】
1.一种拉制重掺磷硅单晶后的排气方法，其特征在于，在开启上炉筒和下炉筒之间的隔离阀之前，通过对惰性气体流量以及用于平衡调节炉压的APC阀或手动阀的开度进行调节，使惰性气体置换单晶炉上炉筒内的空气；以及，在开启上炉筒和下炉筒之间的隔离阀之后，向单晶炉内通入空气，使单晶炉排气管路内的磷混合物中的红磷与空气接触后缓慢且充分燃烧，并通过对真空球阀进行连续开关操作，将排气管路内壁吸附的磷混合物吹剥落。
2.根据权利要求1所述的拉制重掺磷硅单晶后的排气方法，其特征在于，该排气方法具体包括：
3.根据权利要求2所述的拉制重掺磷硅单晶后的排气方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种拉制重掺磷硅单晶后的排气方法，其特征在于，在开启上炉筒和下炉筒之间的隔离阀之前，通过对惰性气体流量以及用于平衡调节炉压的apc阀或手动阀的开度进行调节，使惰性气体置换单晶炉上炉筒内的空气；以及，在开启上炉筒和下炉筒之间的隔离阀之后，向单晶炉内通入空气，使单晶炉排气管路内的磷混合物中的红磷与空气接触后缓慢且充分燃烧，并通过对真空球阀进行连续开关操作，将排气管路内壁吸附的磷混合物吹剥落。
2.根据权利要求1所述的拉制重掺磷硅单晶后的排气方法，其特征在于，该排气方法具体包括：
3.根据权利要求2所述的拉制重掺磷硅单晶后的排气方法，其特征在于，所述步骤s1中，在取出晶棒并关闭上炉筒后，进行气密性检查，以确保单晶炉无泄漏。
4.根据权利要求2所述的拉制重掺磷硅单晶后的排气方法，其特征在于，所述步骤s3，具体包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊冉，曹启刚，芮阳，杨凯，王黎光，蔡瑞，魏兴彤，马佳乐，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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