【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、诸如晶体管的半导体组件被制造成分层的组件，包括诸如管芯座、管芯、夹片和外壳的部件。外壳提供保护功能，并且至少部分地包围管芯和形成半导体组件的一部分的其它部件。
2、半导体组件通过将部件结合在一起来制造。一旦结合，组件限定了形成许多层的层压结构。例如，管芯座、管芯、夹片和外壳可以各自形成层压结构的一层。
3、半导体组件在使用中经受应力。应力可能由于例如部件的热膨胀和/或机械变形而产生。半导体组件所经受的应力会导致部件的分层。这是不期望的，因为分层可能最终导致组件例如由于湿气进入而失效。
4、存在克服与制造半导体组件的现有方法相关的缺点的需求，无论在本文件中还是以其它方式提到。
技术实现思路
1、在本专利技术的第一方面中，提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括用焊料将管芯固定到管芯座，并用焊料将夹片固定到管芯以形成第一子组件。该方法进一步包括将第一子组件加热到至少焊料的熔化温度，然后随后从邻近管芯的...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中使用激光烧蚀从所述管芯座去除所述焊料。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在从所述管芯座去除至少一些所述焊料的同时，从所述管芯座去除至少一些材料以在所述管芯座中形成凹槽。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述凹槽围绕所述管芯座的周长的至少50％延伸。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的方法，其中所述凹槽限定多个区段，每个区段限定连续路径或不连续路径。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法，其中所述凹槽是非线性的；任...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中使用激光烧蚀从所述管芯座去除所述焊料。
3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在从所述管芯座去除至少一些所述焊料的同时，从所述管芯座去除至少一些材料以在所述管芯座中形成凹槽。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述凹槽围绕所述管芯座的周长的至少50％延伸。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的方法，其中所述凹槽限定多个区段，每个区段限定连续路径或不连续路径。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法，其中所述凹槽是非线性的；任选地，其中所述凹槽限定波形。
7.根据权利要求3至6中...
【专利技术属性】
技术研发人员：小安东尼奥·B·迪马诺，陈伟良，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：
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