半导体晶圆的化学机械研磨方法及半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种半导体晶圆的化学机械研磨方法及半导体器件，所述研磨方法包括至少一次子研磨步骤，所述子研磨步骤包括：化学机械研磨半导体晶圆的待研磨表面；研磨后采用清洗工艺清洗半导体晶圆；干燥所述半导体晶圆的表面；所述清洗工艺包括：使用O<subgt;3</subgt;/H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;溶液冲洗半导体晶圆的表面，通过O<subgt;3</subgt;的氧化作用在半导体晶圆的表面生成一层氧化膜。本发明专利技术的化学研磨方法包括使用O<subgt;3</subgt;/H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;溶液冲洗半导体晶圆化学研磨后的表面，通过O<subgt;3</subgt;的氧化作用在半导体晶圆的表面生成一层氧化膜，并且通过多次化学机械研磨获得所要的结构，从而改善整个化学机械研磨过程中产生的缺陷，提高半导体产品的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件相关，具体地说，涉及一种半导体晶圆的化学机械研磨方法及半导体器件。

技术介绍

1、对于alcmp制程中缺陷的控制是影响高k金属栅(high-k metal gate,hkmg)器件和良率性能的关键。因此，控制alcmp制程中的缺陷是提高半导体器件产量的关键因素，尤其是控制微划痕和损伤。现有的化学研磨工艺中，在研磨盘完成研磨后，采用去离子水进行清洗时无法对顶层铝膜进行保护，此时，转移到下一个研磨盘和清洗腔(cleaner chamber)进行清洗时，易形成划痕和损伤，如何优化上述化学研磨工艺从而减少研磨造成的缺陷从而提高产品性能和良率是本领域亟待解决的技术问题。

2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、针对现有技术中的问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体晶圆的化学机械研磨方法及半导体器件，该化学机械研磨方法通过在半导体晶圆化学研磨后的表面清洗工艺中使用o3本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，所述研磨方法包括至少一次子研磨步骤，所述子研磨步骤包括：

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，化学机械研磨半导体晶圆的待研磨表面为铝膜层。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，所述O3/H2O2溶液中O3的浓度在30ppm和80ppm之间。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，O3/H2O2溶液冲洗所述半导体晶圆的表面的时间在1至10分钟。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，所述研磨方法包括至少一次子研磨步骤，所述子研磨步骤包括：

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，化学机械研磨半导体晶圆的待研磨表面为铝膜层。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，所述o3/h2o2溶液中o3的浓度在30ppm和80ppm之间。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，o3/h2o2溶液冲洗所述半导体晶圆的表面的时间在1至10分钟。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆的化学机械研磨方法，其特征在于，所述清洗工艺还包括在所述使用o3/h2o2溶液冲洗所述半导体晶圆的表面步骤之前，采用去离子水清洗化学机械研磨后的半导体晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵朵朵，常靖华，于海龙，孟昭生，贾超超，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：