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本发明提供了一种半导体晶圆的化学机械研磨方法及半导体器件，所述研磨方法包括至少一次子研磨步骤，所述子研磨步骤包括：化学机械研磨半导体晶圆的待研磨表面；研磨后采用清洗工艺清洗半导体晶圆；干燥所述半导体晶圆的表面；所述清洗工艺包括：使用O<...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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