【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于制造包括衬底和通过化学气相沉积(cvd)过程施加到衬底上的膜的类型的半导体器件的设备。
技术介绍
1、这种类型的设备包括包含反应和沉积区的室，在反应和沉积区中布置至少一个衬底，并且在反应和沉积区中，供应到处理室的处理气体经历cvd过程以在衬底上形成膜。
2、在这种类型的设备中要处理的一个问题是由于处理气体的反应而产生的颗粒在室壁上的沉积。
3、然后，这些颗粒可能在附着到室壁上的同时生长，直到它们与室壁分离，并可能沉积在衬底上，从而影响沉积在衬底上的膜的质量。为了避免损害沉积在衬底上的膜的质量的风险，通常的解决方案是以预定间隔对维护干预进行编程，以将室中这些微粒的累积保持在预定水平以下。
4、然而，这些阻止降低了设备的生产率。
5、因此，感觉需要减少设备的维护频率，同时保持通过cvd在衬底上实现的膜的质量。
技术实现思路
1、本专利技术提出了一种用于制造半导体器件的设备，以解决上述技术问题。
2、本专利技术总体...
【技术保护点】
1.一种用于制造包括衬底(101)和通过化学气相沉积(CVD)过程施加到衬底上的膜的类型的半导体器件的设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述室(2)的至少一个壁(2D,2E；220’)包括多个开口(28)，其配置为将惰性气体引入到所述反应和沉积区(100)中以形成所述气体层(200)，所述多个开口优选地根据覆盖壁的预定区域(A1,A2；220’A)的开口(28)的二维阵列布置。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述反应和沉积区(100)包括接收区域(2H)，其配置为根据给定的放置平面(L)接收衬底(101)，并且其中，所...
【技术特征摘要】
1.一种用于制造包括衬底(101)和通过化学气相沉积(cvd)过程施加到衬底上的膜的类型的半导体器件的设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述室(2)的至少一个壁(2d,2e；220’)包括多个开口(28)，其配置为将惰性气体引入到所述反应和沉积区(100)中以形成所述气体层(200)，所述多个开口优选地根据覆盖壁的预定区域(a1,a2；220’a)的开口(28)的二维阵列布置。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述反应和沉积区(100)包括接收区域(2h)，其配置为根据给定的放置平面(l)接收衬底(101)，并且其中，所述室的包括至少一个开口(28)的至少一个壁(2d)与接收区域(2h)相对，并且基本平行于放置平面(l)。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述室(2)包括第二壁(2e)，其设置有用于接收衬底(101)的接收区域(2h)，并且其中，第二壁(2e)包括在室(2)的内区上的至少一个开口(28)，内区相对于所述处理气体(f)流的流动方向位于所述反应和沉积区(100)的上游，所述至少一个开口(28)与所述第二气体源(40)流体连通，并且配置为将惰性气体引入到上游区中，以形成将第二壁(2e)的至少一部分与处理气体流分离的气体层(200)。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述至少一个壁(2d)和/或所述第二壁(2e)包括在所述室(2)的内区上的至少一个开口(28)，内区相对于所述处理气体(f)流的流动方向位于所述反应和沉积区(100)的下游，所述至少一个开口(28)与所述第二气体源(40)流体连通，并且配置为将惰性气体引入到下游区中以形成气体层(200)，气体层(200)将至少一个壁(2d)或第二壁(2e)的至少一部分与离开室(2)的处理废气流分离。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，
7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述室(2)包括多个基座(21,22；21,22,23,24)，其组装在一起以界定包含反应和沉积区(100)的流动通道(2c)并设置成与所述第一气体源(20)流体连通，并且其中，基座(21、22)中的至少一个具有设置成与所述第二气体源(40)流体连通的内腔(21c、22c)，并且具有介于流动通道(2c)和基座(21、22)的内腔(21c、22c)之间的至少一个壁(2d、2e)，至少一个壁的孔(28)将内腔(21c、22c)和流动通道(2c)设置成相互流体连通。
8.根据权利要求7所述的...
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