【技术实现步骤摘要】
这里描述了用于在衬底上外延沉积半导体材料的反应器，或简称为“外延反应器”。特别地，待沉积的半导体材料是碳化硅。在其上进行沉积的衬底通常也由碳化硅制成，但不能排除其他材料。
技术介绍
1、用于碳化硅外延沉积的反应器已经为人所知有一段时间了。
2、例如，在2002年，申请人提交了与这种反应器相关的两项国际专利申请，它们公开为wo 2004/053187 a1和wo 2004/053188 a1。申请人随后首先提交了与用于这种反应器的可能的反应室相关的国际专利申请，其公开为wo 2015/092525a1，然后提交了与用于这种反应器的可能的过程相关的国际专利申请，其公开为wo 2022/053963 a1。
3、根据wo 2004/053187 a1和wo 2004/053188 a1的反应器具有的架构包括沿纵向方向延伸的反应室、也沿相同纵向方向延伸的热绝缘以及也沿相同纵向方向延伸的由石英(或类似材料)制成的管；热绝缘横向围绕室，而管横向围绕热绝缘。室、热绝缘和管的横截面形状是基本圆形、椭圆形或者多边形或矩形；通常，但...
【技术保护点】
1.一种用于在衬底上外延沉积半导体材料的反应器，其中，反应器包括：
2.根据权利要求1所述的反应器，
3.根据权利要求1或2所述的反应器，
4.根据权利要求3所述的反应器，
5.根据前述权利要求中任一项所述的反应器，
6.根据权利要求5所述的反应器，
7.根据权利要求5或6所述的反应器，
8.根据权利要求5或6或7所述的反应器，
9.根据权利要求8所述的反应器，
10.根据权利要求8或9所述的反应器，
11.根据权利要求7和10所述的反应器，
...【技术特征摘要】
1.一种用于在衬底上外延沉积半导体材料的反应器，其中，反应器包括：
2.根据权利要求1所述的反应器，
3.根据权利要求1或2所述的反应器，
4.根据权利要求3所述的反应器，
5.根据前述权利要求中任一项所述的反应器，
6.根据权利要求5所述的反应器，
7.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·G·梅斯奇亚，D·克里帕，S·R·M·普雷蒂，F·科里亚，S·波利，
申请(专利权)人：LPE公司，
类型：发明
国别省市：
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