温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种用于制造包括衬底(101)和通过化学气相沉积(CVD)过程施加到衬底上的膜的类型的半导体器件的设备，包括：包含反应和沉积区(100)的室(2)，在反应和沉积区(100)中布置至少一个衬底(101)，并且包括界定反应和沉积区(100)的至...
该专利属于LPE公司所有，仅供学习研究参考，未经过LPE公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。