【技术实现步骤摘要】
本技术涉及化学气相沉积，特别涉及一种化学气相沉积反应腔结构。
技术介绍
1、化学气相沉积技术（cvd）主要是利用含有薄膜元素的气相物质在衬底表面进行化学反应生成薄膜的方法，该技术广泛应用于生产晶体、晶体薄膜、晶须以及多晶/非晶材料膜。化学气相沉积技术在半导体工业中有着比较广泛的应用。
2、然而，现有的cvd技术存在着沉积均匀性差的问题，这主要源于反应腔内流场和温场的不均匀性。在cvd过程中，气态前驱体在反应腔内输送和扩散过程中受到流场和温度梯度的影响，导致沉积物沉积不均匀。特别是碳化硅涂层的形成容易受到影响，形核点较少，晶粒粗大，涂层致密度不高。
3、另外，在cvd过程中，由于碳化硅涂层与石墨基体之间结合力较弱，导致涂层表面粗糙度较高。这种现象不仅会影响涂层的性能和稳定性，还会影响到器件的整体性能。因此，通过改进化学气相沉积反应腔结构，从而改善cvd过程中的沉积均匀性，提高碳化硅涂层与基体的结合力，是当前研究的重点之一。
技术实现思路
1、现有技术中，化学气相沉积在...
【技术保护点】
1.一种化学气相沉积反应腔结构，其特征在于，包括进气管、顶板、保温毡、底板、沉积承载台和炉腔体，所述顶板、所述炉腔体、所述底板和所述保温毡围成沉积空间，所述顶板中间设置连接孔，所述进气管贯穿所述顶板的连接孔设置，所述进气管包括一个主进气口和与所述主进气口连接的多个子进气口，多个所述子进气口均匀设置，所述保温毡设置在所述炉腔体内部，并与所述底板和所述顶板连接，所述沉积承载台设置在所述炉腔体内，并用于放置沉积衬底，所述底板的周边设置出气口。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积反应腔结构，其特征在于，所述顶板的周边还设置侧进气口。
3.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积反应腔结构，其特征在于，包括进气管、顶板、保温毡、底板、沉积承载台和炉腔体，所述顶板、所述炉腔体、所述底板和所述保温毡围成沉积空间，所述顶板中间设置连接孔，所述进气管贯穿所述顶板的连接孔设置，所述进气管包括一个主进气口和与所述主进气口连接的多个子进气口，多个所述子进气口均匀设置，所述保温毡设置在所述炉腔体内部，并与所述底板和所述顶板连接，所述沉积承载台设置在所述炉腔体内，并用于放置沉积衬底，所述底板的周边设置出气口。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积反应腔结构，其特征在于，所述顶板的周边还设置侧进气口。
3.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：李家浩，季加伟，黄春立，朱建华，
申请(专利权)人：东莞市志橙半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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