半导体结构及其制作方法、存储器及存储器系统技术方案

本申请提供一种半导体结构及其制作方法、存储器及存储器系统，该方法包括：形成沿堆叠方向贯穿第一堆叠层的多个电容孔，第一堆叠层包括第一区域和第二区域，电容孔位于第一区域和第二区域中；在电容孔内壁上形成第一电极层；在第一区域和第二区域中形成介电层；在介电层背离第一堆叠层的一侧形成第二电极层；去除第二区域中第一堆叠层上的第二电极层；形成沿堆叠方向贯穿第二区域中的第一堆叠层的接触结构。该方法可以极大地避免在形成电容孔时第一区域发生严重的刻蚀负载效应，有利于在第一区域中形成尺寸均匀的电容结构，提高电容结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雅琴，刘威，陈亮，刘子琛，王言虹，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：