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本申请提供一种半导体结构及其制作方法、存储器及存储器系统，该方法包括：形成沿堆叠方向贯穿第一堆叠层的多个电容孔，第一堆叠层包括第一区域和第二区域，电容孔位于第一区域和第二区域中；在电容孔内壁上形成第一电极层；在第一区域和第二区域中形成介电层...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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