一种研磨垫修整器及化学机械研磨设备制造技术

本发明专利技术公开了一种研磨垫修整器及化学机械研磨设备，所述研磨垫修整器包括基座、摆动臂、修整头、修整轮和对射传感器，摆动臂的一端与基座连接，摆动臂的另一端能够在水平方向上来回摆动，修整头与摆动臂的另一端连接，修整头能够旋转；修整轮设置于修整头下方，修整轮在修整头的带动下旋转；对射传感器包括发射器和接收器，发射器和接收器设置于与修整轮同一水平高度处，且使得修整轮处于发射器和接收器之间的连线上。本发明专利技术能够监测修整头下方是否安装有修整轮，避免了现有技术中修整器未安装修整轮时机台也会进行研磨的情况发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备，特别涉及一种研磨垫修整器及化学机械研磨设备。

技术介绍

1、cmp，即化学机械研磨(chemical mechanical polishing)，是集成电路制造中产出效率最高、技术最成熟且应用最广泛的纳米级全局平坦化表面制造工艺，在半导体芯片的制造过程中，尤其是在单晶硅片制造过程和前半制程中，cmp技术被多次使用以达到必要的表面平坦度。

2、化学机械研磨的主要设备一般包括：研磨台(platen)、研磨垫(polishing pad)、研磨头(head)和研磨液供给器(slurry dispenser)，将硅片固定在研磨头的最下面，将研磨垫放置在研磨台上，研磨时，旋转的研磨头以一定的压力压在旋转的研磨垫上，研磨液供给器用于在研磨垫上加入流动的研磨液，研磨液在研磨垫的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在硅片和研磨垫之间形成一层研磨液液体薄膜，研磨液中的化学成分与硅片表面材料产生化学反应，将不溶的物质转化为易溶的物质，或者将硬度高的物质进行软化，然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从硅片表面去除，溶入流动的液体中带本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种研磨垫修整器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的研磨垫修整器，其特征在于，所述修整头上设置有至少两个螺纹孔，所述修整轮上对应位置设置有至少两个通孔，至少两颗螺钉穿过至少两个所述通孔将所述修整轮固定于所述修整头下方。

3.如权利要求1所述的研磨垫修整器，其特征在于，所述发射器设置于所述基座上朝向所述修整轮的一侧，所述接收器设置于所述修整轮背向所述发射器的一侧，且位置固定。

4.如权利要求1所述的研磨垫修整器，其特征在于，所述接收器设置于所述基座上朝向所述修整轮的一侧，所述发射器设置于所述修整轮背向所述接收器的一侧，且位置固定。

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【技术特征摘要】

1.一种研磨垫修整器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的研磨垫修整器，其特征在于，所述修整头上设置有至少两个螺纹孔，所述修整轮上对应位置设置有至少两个通孔，至少两颗螺钉穿过至少两个所述通孔将所述修整轮固定于所述修整头下方。

3.如权利要求1所述的研磨垫修整器，其特征在于，所述发射器设置于所述基座上朝向所述修整轮的一侧，所述接收器设置于所述修整轮背向所述发射器的一侧，且位置固定。

4.如权利要求1所述的研磨垫修整器，其特征在于，所述接收器设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊杰，
申请(专利权)人：格科半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：

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