【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体制造中应力记忆技术实现方法及半导体结构。
技术介绍
1、先进制程工艺中会采用应力记忆技术(smt)以增强mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)载流子迁移率。常用方法为先沉积二氧化硅层和应力记忆层，后通过退火将应力转移到基底中，最后通过刻蚀将应力记忆层去除。
2、在先进制程中，mosfet之间的间隔较小，预先沉积的二氧化硅层会导致应力记忆层无法有效覆盖到有源区，导致应力记忆效率受限。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、针对现有技术中的问题，本申请的目的在于提供一种半导体制造中应力记忆技术实现方法及半导体结构，在沉积应力记忆层之前，刻蚀使得有源区表面呈凹型形貌，增大应力记忆层与基底的接触面积，解决现有...
【技术保护点】
1.一种半导体制造中应力记忆技术实现方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体制造中应力记忆技术实现方法，其特征在于，对所述基底进行干法刻蚀，使所述有源区的表面呈凹型形貌。
3.根据权利要求1所述的半导体制造中应力记忆技术实现方法，其特征在于，所述MOSFET结构还包括侧墙；对所述基底进行刻蚀时，使所述有源区的表面呈凹型形貌的同时，使所述侧墙的高度下降。
4.根据权利要求1所述的半导体制造中应力记忆技术实现方法，其特征在于，对所述基底进行刻蚀时，使所述有源区的表面中心下降的高度为5nm～30nm。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体制造中应力记忆技术实现方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体制造中应力记忆技术实现方法，其特征在于，对所述基底进行干法刻蚀，使所述有源区的表面呈凹型形貌。
3.根据权利要求1所述的半导体制造中应力记忆技术实现方法，其特征在于，所述mosfet结构还包括侧墙；对所述基底进行刻蚀时，使所述有源区的表面呈凹型形貌的同时，使所述侧墙的高度下降。
4.根据权利要求1所述的半导体制造中应力记忆技术实现方法，其特征在于，对所述基底进行刻蚀时，使所述有源区的表面中心下降的高度为5nm～30nm。
5.根据权利要求1所述的半导体制造中应力记忆技术实现方法，其特征在于，对所述基底进行刻蚀，使...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊颖涛，陈蔚，林露，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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