一种覆铜陶瓷基板的制备方法技术

本发明专利技术涉及覆铜陶瓷基板技术领域，尤其是涉及一种覆铜陶瓷基板的制备方法。包括以下步骤：S1.对陶瓷基板进行表面处理；S2.根据电路设计要求，设计出相应的钢网图案，并制作钢网；S3.将铜浆料通过钢网印刷的方式直接印刷在处理过的陶瓷基板上，形成图形化的覆铜层，并在氮气氛围下烘干；S4.重复步骤S3多次，得到印刷好的样品；S5.将印刷好的样品进行烧结，然后打磨、清洗，得到覆铜陶瓷基板。本发明专利技术能够通过钢网印刷手段直接获得图形化的覆铜层，避免了使用钎料焊接铜箔及后续刻蚀的繁琐步骤，工艺简单，并具备良好的成型性，且制备得到的成品覆铜层与陶瓷基板之间有较强的结合力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及覆铜陶瓷基板，尤其是涉及一种覆铜陶瓷基板的制备方法。

技术介绍

1、随着航空航天、电动汽车等领域的不断发展，对于核心功率器件的要求逐渐增高，第三代半导体也逐渐得到了越来越多的研究和关注。第三代半导体具有更高的运行结温，在350℃以上仍能保持良好的运行性能。高功率应用场景下的覆铜陶瓷基板需要有更高的铜厚和更高的温度可靠性以保证器件不提前失效。

2、目前，覆铜陶瓷基板的制备主要包括直接镀铜(dpc)工艺、直接覆铜(dbc)工艺、活性金属钎焊(amb)工艺等方法。其中，活性金属钎焊(amb)工艺主要是将活性钎料通过厚膜印刷的方式置于陶瓷载板表面，再将铜箔层放置在覆有金属焊料的陶瓷载板两侧层叠组装，形成铜-钎料-陶瓷-钎料-铜的结构，再经真空烧结，使陶瓷、钎料和铜箔三者成紧密焊接，然后经曝光、显影、蚀刻和表面处理等工艺制成的产品。

3、传统amb工艺相对复杂，需要精确的工艺控制，导致成本较高。并且陶瓷和铜片表面任何微小的缺陷都可能导致钎焊界面产生空洞，影响结合强度。因此，开发一种新型的覆铜陶瓷基板，能够实现铜浆料与陶瓷基板的直本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中采用的铜浆料由以下方法制成：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中酸洗使用的酸为稀硫酸、次磷酸、次氯酸中的一种；采用的铜粉颗粒的形状为球形或片状，粒径范围为100-2200nm。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的粘结剂选自聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚醋酸乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、甲基纤维素中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中获得的有...

【技术特征摘要】

1.一种覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s3中采用的铜浆料由以下方法制成：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中酸洗使用的酸为稀硫酸、次磷酸、次氯酸中的一种；采用的铜粉颗粒的形状为球形或片状，粒径范围为100-2200nm。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的粘结剂选自聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚醋酸乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、甲基纤维素中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中获得的有机溶剂体系中各成分的质量百分含量如下：增塑剂1％-5％、整平剂0.5％-3％、分散剂0.5％-3％、偶联剂0.2％-1％、固化剂0.5％-3％、烧结温度调节剂0.2％-1％、有机...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾强，冯梦，王乙舒，郭福，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：