一种硅通孔测试结构,测试方法及其制备方法技术

技术编号:44964986 阅读:35 留言:0更新日期:2025-04-12 01:36
本发明专利技术提供一种硅通孔测试结构,测试方法及其制备方法,通过在测试焊盘周侧形成旋转楼梯状分布且深度沿周向逐渐增大的测试区域,通过在测试焊盘与测试区域之间设置探针,使得测试时实现对漏电区域的便捷测试,且由于测试区域具有不同的深度,从而可以对TSV结构不同深度的区域的漏电流数值进行采样并与预设的参考漏电流值进行对比分析,从而实现对TSV结构发生漏电流的深度和位置的准确定位,还能够实现对晶圆整面的漏电情况进行监控,此外本发明专利技术中硅通孔测试结构的制备方法简单,且可以自由设置测试焊盘下通孔中的金属柱矩阵,使得其能够应用于不同尺寸的TSV结构,从而实现对不同深度的漏电位置进行监控与定位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体测试,特别是涉及一种硅通孔测试结构,测试方法及其制备方法


技术介绍

1、随着半导体器件与集成电路技术的迅猛发展,芯片元件的尺寸和工艺线宽都在不断压缩,其集成度也遵循摩尔定律不断提高。因此,近些年来三维集成电路及相关的三维互连与封装技术应运而生。其中以硅通孔(through silicon via,tsv)为核心的三维集成技术更是当下半导体工业界的研发热点,伴随着tsv技术的发展,越来越多的产品用到了高密度和高深宽比的tsv通孔,常规的tsv结构是由电镀铜填充的cu-si复合结构,其具有多层界面(cu/ta/sio2/si),但是由于cu和si的热膨胀系数相差6倍,使得组成各层界面的材料的热膨胀系数存在显著差异,而热失配将会导致tsv界面各层材料之间产生较大的拉应力和切应力,从而容易诱发界面分层造成tsv结构产生漏电,从而降低芯片的性能。

2、现有技术中,通常采用热点失效定位分析的方法对tsv结构中漏电流的位置进行定位,即在tsv结构和半导体衬底之间施加测试电压,发生漏电流的位置在施加测试电压后会产生热点,而该热点能够被测试本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅通孔测试结构,其特征在于,所述硅通孔测试结构包括:

2.根据权利要求1所述的硅通孔测试结构,其特征在于:所述测试区域的数量为多个且每个所述测试区域的深度沿周向呈等比例变大。

3.根据权利要求2所述的硅通孔测试结构,其特征在于:所述测试区域的数量为五个且呈旋转楼梯状分布,每个所述测试区域与所述TSV结构的距离相等。

4.根据权利要求2所述的硅通孔测试结构,其特征在于:每个所述测试区域的宽度为80~100μm且每个所述测试区域的深度为所述TSV结构深度的20%~100%。

5.根据权利要求2~4任意一项所述的硅通孔测试结构,其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种硅通孔测试结构,其特征在于,所述硅通孔测试结构包括:

2.根据权利要求1所述的硅通孔测试结构,其特征在于:所述测试区域的数量为多个且每个所述测试区域的深度沿周向呈等比例变大。

3.根据权利要求2所述的硅通孔测试结构,其特征在于:所述测试区域的数量为五个且呈旋转楼梯状分布,每个所述测试区域与所述tsv结构的距离相等。

4.根据权利要求2所述的硅通孔测试结构,其特征在于:每个所述测试区域的宽度为80~100μm且每个所述测试区域的深度为所述tsv结构深度的20%~100%。

5.根据权利要求2~4任意一项所述的硅通孔测试结构,其特征在于:相邻两个所述测试区域之间的深度差为10~30μm。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢春山周祖源
申请(专利权)人:盛合晶微半导体江阴有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1