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本发明提供一种硅通孔测试结构，测试方法及其制备方法，通过在测试焊盘周侧形成旋转楼梯状分布且深度沿周向逐渐增大的测试区域，通过在测试焊盘与测试区域之间设置探针，使得测试时实现对漏电区域的便捷测试，且由于测试区域具有不同的深度，从而可以对TSV...
该专利属于盛合晶微半导体（江阴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛合晶微半导体（江阴）有限公司授权不得商用。

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