【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种蚀刻液组合物及使用其的蚀刻方法。
技术介绍
1、在半导体装置的制造过程中，例如进行蚀刻包含钨、钽、锆、铪、钼、铌、钌、锇、铼、铑、铜、镍、钴、钛、氮化钛、氧化铝、铝、及铱等至少1种金属的被蚀刻层来加工成规定的图案形状的工序。
2、近年来，半导体领域不断推进高集成化，业界要求布线复杂化、微细化，对图案的加工技术或蚀刻液的要求也逐步提高，提出有各种蚀刻方法或蚀刻液。
3、例如日本特开2012-49535号公报(专利文献1)中提出有一种方法，其使用包含50～80质量%的磷酸、0.5～10质量%的硝酸、5～30质量%的乙酸、及0.01～5质量%的咪唑的蚀刻液组合物，来一次性地蚀刻处理铜/钼(cu/mo)层叠金属膜等多重膜。
4、日本特开2015-144230公报(专利文献2)中提出有一种方法，其使用包含硝酸、含氟化合物、及具有多个含有氮原子的重复单元的含氮有机化合物a或含磷化合物b的蚀刻液，来蚀刻处理含钛层与含硅层。
5、日本特开2013-237873号公报(专利文献3)中提出有...
【技术保护点】
1.一种蚀刻液组合物，其用于蚀刻包含至少1种金属的被蚀刻层，
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，硝酸的以质量%计的配合量a、数均分子量为300以上的多元胺的以质量%计的配合量b、及分子量小于300的含氮碱性化合物的以质量%计的配合量c满足关系(a－c)4/b≤600。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其还包含除硝酸以外的酸。
4.根据权利要求3所述的蚀刻液组合物，其中，除硝酸以外的酸为选自磷酸、乙酸、甲氧基乙酸、及乙氧基乙酸中的至少1种。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻液组合物，其中，所述金...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种蚀刻液组合物，其用于蚀刻包含至少1种金属的被蚀刻层，
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，硝酸的以质量%计的配合量a、数均分子量为300以上的多元胺的以质量%计的配合量b、及分子量小于300的含氮碱性化合物的以质量%计的配合量c满足关系(a－c)4/b≤600。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其还包含除硝酸以外的酸。
4.根据权利要求3...
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