一种体硅湿法腐蚀高精度控制方法技术

本发明专利技术公开一种体硅湿法腐蚀高精度控制方法，包括：制作腐蚀停止参考结构和高精度腐蚀过程控制；制作腐蚀停止参考结构的流程包括：准备衬底片、进行深槽刻蚀、深槽填充和平坦化，最终形成嵌入衬底片表面的腐蚀停止参考结构；高精度腐蚀过程控制包括：制作硬掩模、进行湿法腐蚀粗阶段、进行湿法腐蚀精阶段。以本发明专利技术的腐蚀停止参考结构为工艺参考点，可以帮助产线实现体硅湿法腐蚀工艺的高精度控制。相比于SOI体硅湿法腐蚀工艺，本发明专利技术实现了在总体腐蚀精度控制近似的前提下，工艺成本大幅降低。相较于采用光学检测设备监控腐蚀过程的方法，本发明专利技术充分利用晶圆厂现有标准设备配置，无需额外专用设备和作业人员的投入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种体硅湿法腐蚀高精度控制方法。

技术介绍

1、在集成电路制造工艺
，体硅湿法腐蚀工艺的精度控制常常在批量生产的场景下面临较大的片间偏差和批间偏差。受影响较大的产品类别主要是mems类器件，受影响的产品包括但不限于mems压力传感器、加速度传感器、震动传感器、气体传感器、cmut换能器、体声波谐振器、热电堆等多种硅基微电子机械芯片的核心部分。

2、目前行业中常见的mems器件在3d结构上实施精度控制的工艺，以晶圆衬底片表面为参照，主要由平面精度控制和纵向垂直精度控制组成。其中，平面精度控制主要通过使用先进光刻工艺，结合刻蚀过程中侧侵误差优化来实施综合性工艺方案设计。目前mems器件平面精度控制在常规产线上实施批量制造已经可以很好的解决器件平面精度控制问题；相反，在纵向垂直方向上的工艺精度，尤其是体硅湿法腐蚀工艺依然缺乏灵活有效的工艺控制方案。

3、在一般的产业实践中，精确地对体硅湿法腐蚀工艺技术进行控制，主要是通过对腐蚀液进行配比提升腐蚀表面的均匀性，结合对腐蚀速率的精确计算和腐蚀时间的精确本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种体硅湿法腐蚀高精度控制方法，其特征在于，包括：制作腐蚀停止参考结构和高精度腐蚀过程控制；

2.如权利要求1所述的体硅湿法腐蚀高精度控制方法，其特征在于，所述准备衬底片包含提供衬底片，并进行RCA清洗、甩干、烘干工序；所述进行深槽刻蚀的具体工艺的选择，包括涂胶、曝光、显影、固胶、深槽干法刻蚀及刻蚀后清洗；所述深槽填充包含氧化、薄膜淀积工序，其中薄膜淀积工序所用具体设备包括LPCVD、PECVD、PVD；所述平坦化包括涂胶反腐工艺或CMP机械化学抛光工艺。

3.如权利要求2所述的体硅湿法腐蚀高精度控制方法，其特征在于，所述腐蚀停止参考结构由深槽和深槽内的填充材...

【技术特征摘要】

1.一种体硅湿法腐蚀高精度控制方法，其特征在于，包括：制作腐蚀停止参考结构和高精度腐蚀过程控制；

2.如权利要求1所述的体硅湿法腐蚀高精度控制方法，其特征在于，所述准备衬底片包含提供衬底片，并进行rca清洗、甩干、烘干工序；所述进行深槽刻蚀的具体工艺的选择，包括涂胶、曝光、显影、固胶、深槽干法刻蚀及刻蚀后清洗；所述深槽填充包含氧化、薄膜淀积工序，其中薄膜淀积工序所用具体设备包括lpcvd、pecvd、pvd；所述平坦化包括涂胶反腐工艺或cmp机械化学抛光工艺。

3.如权利要求2所述的体硅湿法腐蚀高精度控制方法，其特征在于，所述腐蚀停止参考结构由深槽和深槽内的填充材料共同组成。

4.如权利要求2所述的体硅湿法腐蚀高精度控制方法，其特征在于，所述进行深槽刻蚀的深度决定所述腐蚀停止参考结构的深度；并且，所述腐蚀停止参考结构的深度等于体硅湿法腐蚀工艺结束后剩余膜层的厚度。

5.如权利要求2所述的体硅湿法腐蚀高精度控制方法，其特征在于，所述进行深槽刻蚀的精度决定了所述腐蚀停止参考结构的精度；...

【专利技术属性】
技术研发人员：马博，吴建伟，王涛，张世权，孙建洁，陈培仓，杨杰，朱赛宁，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：