【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及芯片封装领域,尤其涉及mems器件的封装方法以及mems芯片单元。
技术介绍
1、目前,微机电系统(microe lectromechan ica lsystems,mems)器件封装技术主要分为芯片级封装和晶圆级封装。其中,晶圆级封装技术虽然封装尺寸小、传输速度高、连接密度大、能够实现快速量产以降低生产成本,但是其制造工艺复杂,对设备和技术的要求高,良率问题、划片效率和成品率、可维修性差以及技术成熟度与兼容性等问题也是晶圆级封装技术存在的问题。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本申请的目的在于至少一定程度上解决相关技术中存在的技术问题之一,本申请实施例提供了mems器件的封装方法以及mems芯片单元,既能够提升mems器件的键合质量与强度,简化工艺过程,又能够增强mems器件封装的可靠性以及性能稳定性。
3、本申请的第一方面的实施例,一种mems器件的封装方法,其特征在于,包括:
...【技术保护点】
1.一种MEMS器件的封装方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的MEMS器件的封装方法,其特征在于,所述第一晶圆为玻璃晶圆,所述第二晶圆为硅晶圆;根据所述第二对准标识和所述第三对准标识将所述第一键合晶圆和所述第二键合晶圆进行键合的键合方式为硅-玻璃阳极键合。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件的封装方法,其特征在于,根据所述第一对准标识和所述第二对准标识通过所述金属中间层将所述盖帽晶圆和所述基体晶圆进行键合的键合方式为金属中间层键合。
4.根据权利要求3所述的MEMS器件的封装方法,其特征在于,所述硅-玻璃阳极键合的工
...【技术特征摘要】
1.一种mems器件的封装方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的mems器件的封装方法,其特征在于,所述第一晶圆为玻璃晶圆,所述第二晶圆为硅晶圆;根据所述第二对准标识和所述第三对准标识将所述第一键合晶圆和所述第二键合晶圆进行键合的键合方式为硅-玻璃阳极键合。
3.根据权利要求2所述的mems器件的封装方法,其特征在于,根据所述第一对准标识和所述第二对准标识通过所述金属中间层将所述盖帽晶圆和所述基体晶圆进行键合的键合方式为金属中间层键合。
4.根据权利要求3所述的mems器件的封装方法,其特征在于,所述硅-玻璃阳极键合的工艺温度高于所述金属中间层键合的工艺温度。
5.根据权利要求3所述的mems器件的封装方法,其特征在于,所述金属中间层键合为金-硅共晶键合、金-金扩散键...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘湛,唐澳,张乾丰,刘悦,邹鹏,张昕,
申请(专利权)人:五邑大学,
类型:发明
国别省市:
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