制造半导体装置的方法和对应的装置制造方法及图纸

本公开涉及一种制造半导体装置的方法和对应的装置。半导体芯片被非LDS封装材料(即不包括LDS‑可激活添加剂的封装材料)覆盖。朝向半导体芯片穿过非LDS封装材料打开一个或多个第一通路。在非LDS封装材料上模制LDS封装材料(即包括LDS‑可激活添加剂的封装材料)以填充第一通路。朝向半导体芯片穿过LDS封装材料打开与第一通路对准的一个或多个第二通路。第二通路具有LDS封装材料的内衬。经由包括在第二通路中的内衬的LDS封装材料的激光直接成型处理提供用于半导体芯片的电耦合形成件。

【技术实现步骤摘要】

说明书涉及制造半导体装置。一个或多个实施例可以应用于例如包括在密封腔上的易碎悬浮膜的微机电系统(mems)热偶发生器。

技术介绍

1、通过引用并入本文的美国专利申请公开第2021/0305191号和第2023/035470号是激光直接成型(lds)技术在制造集成电路(ic)半导体装置中的可能应用的示例。

2、激光直接成型(lds)，时常也被称为直接铜互连(dci)，是基于通过激光源的塑料材料成型的技术。然后用传导材料镀覆激光处理的迹线，以便提供传导图案。

3、激光诱导条带互连(lisi)是有时应用于该技术的另一名称。

4、在stmicroelectronics的lisipacktm产品系列中，lds模制化合物用于覆盖(封装)管芯，并且电传导线(过孔，迹线)在lds模制化合物中“成型”。

5、在某些具体应用中，可能已经存在非lds涂覆层(带、模制膜、厚钝化等)，该非lds涂覆层与lds处理流程本质上不兼容，因为那个层不包含任何lds添加剂。

6、本领域中存在在解决上述问题中做出贡献的需要。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中打开所述第二通路包括施加激光束能量，以及其中所述内衬通过所述激光束能量而激光成型。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二通路比所述第一通路更窄。

4.根据权利要求1所述的方法，其中打开所述第一通路包括施加激光束能量，以及其中打开所述第二通路包括施加激光束能量。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述内衬通过所述激光束能量而激光成型。

6.根据权利要求4所述的方法，其中施加用于打开所述第一通路的激光束能量包括使用第一激光束，以及其中施加用于打开所述第二通路的激光束能量包...

【技术特征摘要】

1.一种方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中打开所述第二通路包括施加激光束能量，以及其中所述内衬通过所述激光束能量而激光成型。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二通路比所述第一通路更窄。

4.根据权利要求1所述的方法，其中打开所述第一通路包括施加激光束能量，以及其中打开所述第二通路包括施加激光束能量。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述内衬通过所述激光束能量而激光成型。

6.根据权利要求4所述的方法，其中施加用于打开所述第一通路的激光束能量包括使用第一激光束，以及其中施加用于打开所述第二通路的激光束能量包括使用第二激光束，以及其中所述第二激光束比所述第一激光束更窄。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一激光束和所述第二激光束具有相同的对准和不...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·扎费罗尼，A·比里兹，A·梅里纳古塔多，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：