一种离体微电极阵列芯片及其制备方法技术

技术编号:44895200 阅读:23 留言:0更新日期:2025-04-08 00:34
本发明专利技术公开了一种离体微电极阵列芯片及其制备方法,该制备方法包括清洗、吹干绝缘基底;采用3D打印技术在所述绝缘基底表面打印出微电极阵列;在微电极阵列上形成绝缘层,然后通过光刻和等离子刻蚀刻蚀绝缘层,暴露出微电极;通过电化学方法在微电极表面修饰纳米材料。该制备方法能够高效,成本较低的制备离体微电极阵列芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及生物传感器的微加工领域,具体涉及一种离体微电极阵列芯片及其制备方法


技术介绍

1、mems全称micro electromechanical system,即微机电系统,是在微电子技术(半导体制造技术)基础上发展起来的,融合了光刻、腐蚀、薄膜、liga、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件。mems微纳加工技术是实现mems器件制造的关键。

2、mems微纳加工技术是指尺度为毫米、微米和纳米量级的零件,以及由这些零件构成的部件或系统的设计、加工、组装、集成与应用技术。它能实现更小尺度和更高精度的加工,可以显著提升加工产品的功能密度和性能,有利于推进光电子、高端制造和生物医学等高科技领域的高质量发展。

3、微纳3d打印是一种基于增材原理制造微纳结构的新型微纳加工技术。其工作原理主要包括光固化、电子束和激光束等方法。在打印过程中,先通过计算机辅助设计软件创建出所需的微纳结构模型,然后通过光固化、电子束或激光束等方式逐层成型,最终完成微纳级物体的制造。

4、在微纳加工领域,3d打印技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种离体微电极阵列芯片的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的离体微电极阵列芯片的制备方法,其特征在于,所述绝缘基底的材料为硬质透明绝缘材料,所述硬质透明绝缘材料包括石英玻璃、聚氯乙烯或聚碳酸酯。

3.根据权利要求1所述的离体微电极阵列芯片的制备方法,其特征在于,所述绝缘基底的边长为25mm~80mm,厚度为1mm~2mm。

4.根据权利要求1所述的离体微电极阵列芯片的制备方法,其特征在于,所述微电极阵列的材料为导电薄膜材料,所述导电薄膜材料为金属、金属化合物或导电聚合物。

5.根据权利要求4所述的离体微电极阵列芯片的制...

【技术特征摘要】

1.一种离体微电极阵列芯片的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的离体微电极阵列芯片的制备方法,其特征在于,所述绝缘基底的材料为硬质透明绝缘材料,所述硬质透明绝缘材料包括石英玻璃、聚氯乙烯或聚碳酸酯。

3.根据权利要求1所述的离体微电极阵列芯片的制备方法,其特征在于,所述绝缘基底的边长为25mm~80mm,厚度为1mm~2mm。

4.根据权利要求1所述的离体微电极阵列芯片的制备方法,其特征在于,所述微电极阵列的材料为导电薄膜材料,所述导电薄膜材料为金属、金属化合物或导电聚合物。

5.根据权利要求4所述的离体微电极阵列芯片的制备方法,其特征在于,所述导电薄膜的材料为金、铂或氮化钛,所述导电聚合物为聚乙炔、聚吡咯、聚...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘石硕何恩慧林芃
申请(专利权)人:南湖脑机交叉研究院
类型:发明
国别省市:

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