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本发明公开了一种离体微电极阵列芯片及其制备方法，该制备方法包括清洗、吹干绝缘基底；采用3D打印技术在所述绝缘基底表面打印出微电极阵列；在微电极阵列上形成绝缘层，然后通过光刻和等离子刻蚀刻蚀绝缘层，暴露出微电极；通过电化学方法在微电极表面修饰...
该专利属于南湖脑机交叉研究院所有，仅供学习研究参考，未经过南湖脑机交叉研究院授权不得商用。

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