【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及mems(微机电系统)，尤其涉及一种多层硅电互联结构及制备方法。
技术介绍
1、mems器件是在半导体制造技术基础上发展来的，融合了体硅加工技术制作的微机械电子器件，广泛应用于消费电子、工业、通信等领域。随着mems制造技术的发展，越来越多的复杂微结构和大规模阵列器件开始商业化应用，器件的布线和电极数量也越来越多，因此，引出了复杂结构和阵列mems器件结构的电极引出技术难题。
技术实现思路
1、为解决
技术介绍
中存在的技术问题，本专利技术提出一种多层硅电互联结构及制备方法。
2、本专利技术提出的一种多层硅电互联结构，包括从上到下依次设置的顶部硅布线层、绝缘层、底部硅布线层，所述底部硅布线层上有底部硅布线结构，所述顶部硅布线层上有顶部硅布线结构，所述顶部硅布线层上开有顶部深孔，所述顶部深孔贯穿所述绝缘层，所述顶部深孔内设有金属连接层，所述金属连接层将所述底部硅布线层和所述顶部硅布线层导电连接。
3、作为本专利技术进一步优化的方案，所述顶部硅布线层与所述底部...
【技术保护点】
1.一种多层硅电互联结构，其特征在于，包括从上到下依次设置的顶部硅布线层(1)、绝缘层(2)、底部硅布线层(3)，所述底部硅布线层(3)上有底部硅布线结构，所述顶部硅布线层(1)上有顶部硅布线结构，所述顶部硅布线层(1)上开有顶部深孔(10)，所述顶部深孔(10)贯穿所述绝缘层(2)，所述顶部深孔(10)内设有金属连接层(5)，所述金属连接层(5)将所述底部硅布线层(3)和所述顶部硅布线层(1)导电连接。
2.根据权利要求1所述的多层硅电互联结构及制备方法，其特征在于，所述顶部硅布线层(1)与所述底部硅布线层(3)通过硅氧硅键合连接。
3.根据...
【技术特征摘要】
1.一种多层硅电互联结构，其特征在于，包括从上到下依次设置的顶部硅布线层(1)、绝缘层(2)、底部硅布线层(3)，所述底部硅布线层(3)上有底部硅布线结构，所述顶部硅布线层(1)上有顶部硅布线结构，所述顶部硅布线层(1)上开有顶部深孔(10)，所述顶部深孔(10)贯穿所述绝缘层(2)，所述顶部深孔(10)内设有金属连接层(5)，所述金属连接层(5)将所述底部硅布线层(3)和所述顶部硅布线层(1)导电连接。
2.根据权利要求1所述的多层硅电互联结构及制备方法，其特征在于，所述顶部硅布线层(1)与所述底部硅布线层(3)通过硅氧硅键合连接。
3.根据权利要求1所述的，多层硅电互联结构，其特征在于，所述底部硅布线层(3)的下方有衬底层(4)。
4.根据权利要求1所述的多层硅电互联结构，其特征在于，还包括中部硅布线层(6)，所述中部硅布线层(6)上有中部硅布线结构，所述中部硅布线层(6)位于所述底部硅布线层(3)与所述底部硅布线层(3)之间，所述中部硅布线层(6)与所述底部硅布线层(3)和所述顶部硅布线层(1)之间均设有有绝缘层(2)，所述中部硅布线层(6)、所述底部硅布线层(3)和所述顶部硅布线层(1)之间均通过所述金属连接层(5)导电连接。
5.根据权利要求4所述的多层硅电互联结构，其特征在于，所述中部硅布线层(6)上开有贯穿位于底部硅布线层(3)上的绝缘层(2)的中部深孔(60)，所述顶部深孔(10)包括第一顶部深孔(100)和第二顶部深孔(101)，所述第一顶部深孔(...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈博，张胜兵，廖启超，谢鑫，王赣鲁，
申请(专利权)人：安徽华鑫微纳集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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