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本发明公开了一种多层硅电互联结构及制备方法,该结构包括从上到下依次设置的顶部硅布线层、绝缘层、底部硅布线层,所述底部硅布线层上有底部硅布线结构,所述顶部硅布线层上有顶部硅布线结构,所述顶部硅布线层上开有顶部深孔,所述顶部深孔贯穿所述绝缘层,...该专利属于安徽华鑫微纳集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽华鑫微纳集成电路有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种多层硅电互联结构及制备方法,该结构包括从上到下依次设置的顶部硅布线层、绝缘层、底部硅布线层,所述底部硅布线层上有底部硅布线结构,所述顶部硅布线层上有顶部硅布线结构,所述顶部硅布线层上开有顶部深孔,所述顶部深孔贯穿所述绝缘层,...