【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种存储器栅极平坦化方法及半导体结构。
技术介绍
1、nor flash具有比逻辑器件更复杂的工艺，随着特征尺寸的不断微缩，工艺难度不断增加，工艺稳定性成为一个很大的难题。其中，浮栅平坦化处理极具挑战，要求浮栅厚度命中目标值，同时要求其在sti(浅沟道隔离)上没有多晶硅残留。现有技术中一般通过两步cmp(chemical-mechanical polishing，化学机械抛光)工艺实现多晶硅浮栅的平坦化。但传统的cmp工艺均一性较差，其工艺相对难控制。一方面，cmp工艺会使多晶硅浮栅形成表面凹陷，影响浮栅的形状，其次cmp工艺导致晶圆中心到边缘的浮栅厚度会有较大高度差，无法保证多晶硅浮栅特征尺寸全面地命中目标值。另外一方面，cmp工艺有多晶硅栅在sti上残留风险，使多晶硅栅之间桥连，导致半导体器件失效。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路>
1、针对现有本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器栅极平坦化方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器栅极平坦化方法，其特征在于，所述通过光刻和刻蚀去除所述隔离结构一侧的栅极层，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的存储器栅极平坦化方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀去除所述隔离结构一侧的栅极层，包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的存储器栅极平坦化方法，其特征在于，去除所述隔离结构一侧的栅极层时，过度刻蚀量为所述栅极层的后的10％～20％。
5.根据权利要求1所述的存储器栅极平坦化方法，其特征在于，所述涂覆一层底部抗反射层以进行平坦化处理
【技术特征摘要】
1.一种存储器栅极平坦化方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器栅极平坦化方法，其特征在于，所述通过光刻和刻蚀去除所述隔离结构一侧的栅极层，包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的存储器栅极平坦化方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀去除所述隔离结构一侧的栅极层，包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的存储器栅极平坦化方法，其特征在于，去除所述隔离结构一侧的栅极层时，过度刻蚀量为所述栅极层的后的10％～20％。
5.根据权利要求1所述的存储器栅极平坦化方法，其特征在于，所述涂覆一层底部抗反射层以进行平坦化处理，包括如下步骤：
6.根据权利要求1所述的存...
【专利技术属性】
技术研发人员：周维杰，常靖华，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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