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本申请提供了一种存储器栅极平坦化方法及半导体结构，所述方法包括：提供一基底，所述基底包括衬底、隔离结构和栅极层；通过光刻和刻蚀去除所述隔离结构一侧的栅极层；涂覆一层底部抗反射层以进行平坦化处理；对所述底部抗反射层和所述栅极层进行刻蚀，去除所...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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