【技术实现步骤摘要】
本专利技术技术一般来说涉及具有集成光学组件的半导体装置，且更特定来说涉及上面形成有光学布线层的半导体裸片。
技术介绍
1、包含存储器芯片、微处理器芯片及成像器芯片的封装式半导体裸片通常包含安装于衬底上且包封于保护封盖中的半导体裸片。所述半导体裸片包含功能特征，例如存储器单元、处理器电路及成像器装置以及电连接到所述功能特征的接合垫。所述接合垫可电连接到在所述保护封盖外部的端子以允许所述半导体裸片连接到较高阶电路。
2、在一些例子中，半导体裸片封装可电耦合到各种光学组件(例如，发射器、接收器等)以用于将去往/来自封装中的半导体裸片的电信号转换为光学信号，所述光学信号可(举例来说)以比电信号高的速度及/或带宽路由到外部装置。此些光学组件通常为位于半导体裸片封装外部的离散组件。举例来说，离散光学组件可以并排方式与所述半导体裸片封装一起集成于中介层上且经由导电线、迹线等电耦合到所述半导体裸片封装，以形成电光半导体裸片组合件。此些电光半导体裸片组合件可为相对大的，且在高数据带宽下，导电线、迹线等中的电信号可仅传播小距离直到需要额外中继器...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底包括在所述第一侧的多个电路元件。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电特征具有第一高度，并且其中所述第二导电特征具有不同于所述第一高度的第二高度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电特征具有第一高度，并且其中所述第二导电特征具有小于所述第一高度的第二高度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电特征具有介于约10-100μm之间的第一高度，并且其中所述第二导电特征具有小于约1-10μm之间的第二高度
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底包括在所述第一侧的多个电路元件。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电特征具有第一高度，并且其中所述第二导电特征具有不同于所述第一高度的第二高度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电特征具有第一高度，并且其中所述第二导电特征具有小于所述第一高度的第二高度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电特征具有介于约10-100μm之间的第一高度，并且其中所述第二导电特征具有小于约1-10μm之间的第二高度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述光学布线层包括具有不同折射率的至少两种钝化材料。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述光学布线层包括至少氮化硅材料的第一层和至少氧化硅材料的第二层。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述光学布线层包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一材料和所述第三材料相同，并且其中所述第二层被图案化以形成光波导。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第二层被进一步图案化以形成至少一个垂直耦合...
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