半导体存储装置制造方法及图纸

根据实施方式，本发明专利技术的半导体存储装置包含：第1芯片，包含具有串联连接的第1存储单元与第2存储单元的第1柱；第2芯片，包含具有串联连接的第3存储单元与第4存储单元的第2柱；及第3芯片，包含行译码器，该行译码器将连接在第1存储单元的栅极的第1字线、连接在第3存储单元的栅极的第2字线、及连接在第2存储单元及第4存储单元的每一个的栅极的第3字线分别连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

1、作为半导体存储装置，已知有nand(not-and，与非)型闪存。

2、[
技术介绍
文献]

3、[专利文献]

4、专利文献1：美国专利第10811393号说明书

5、专利文献2：美国专利第10797028号说明书

6、专利文献3：美国专利第8584061号说明书

技术实现思路

1、[专利技术所要解决的问题]

2、本专利技术的一实施方式中，提供能提高可靠性的半导体存储装置。

3、[解决问题的技术方式]

4、实施方式的半导体存储装置包含：第1芯片，包含具有串联连接的第1存储单元与第2存储单元的第1柱，连接在第1柱的一端的第1位线，及连接在第1柱的另一端的第1源极线；第2芯片，包含具有串联连接的第3存储单元与第4存储单元的第2柱，连接在第2柱的一端的第2位线，及连接在第2柱的另一端的第2源极线；以及第3芯片，包含共通连接在第1位线及第2位线的感测放大器，及将连接在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

11.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求1所述的半导体存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：细野浩司，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：