【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及半导体器件领域。更具体地，包括偶极层的半导体结构。偶极层可以通过包含金属和碳的层来形成。
技术介绍
1、晶体管是通常形成在半导体衬底上的集成电路部件或元件。具体而言，现代集成电路包含场效应晶体管(fet)，其中响应于施加到控制栅极的电压，电流流过源极和漏极之间的半导体沟道。半导体器件(例如互补金属氧化物半导体(cmos)器件)的尺寸缩小已经导致现代集成电路的速度和密度显著提高。在先进的cmos器件中，包括中央处理器(cpu)和片上系统(soc)，需要具有多个阈值电压的结构，以便优化延迟或功耗。然而，随着器件尺寸的缩小，提供具有多个阈值电压的高功能结构面临着严峻的挑战。例如，一个特殊的问题是控制fet的阈值电压。
2、现有技术的解决方案采用偶极层来控制晶体管的阈值电压，例如通过包括镧、钪和铝中的一种或多种的氧化物的层。然而，这些层的沉积可能在半导体-栅极电介质界面处产生诸如氧化硅的氧化物，这会增加器件的等效氧化物厚度(eot)，对开关速度产生负面影响。
3、现有技术的方法可以包括在高k层的顶部形成厚金...
【技术保护点】
1.一种形成栅极电介质的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括半导体以及夹层和高k层中的至少一个，其中，所述方法还包括退火衬底的步骤，从而形成偶极层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括夹层，其中，所述含金属和碳层形成在夹层上，其中，所述方法还包括在含金属和碳层上形成高k层，并且其中，所述方法还包括退火步骤，从而形成偶极层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述含金属和碳层形成在所述高k层上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述金属前体包括稀土金属。>
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种形成栅极电介质的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括半导体以及夹层和高k层中的至少一个，其中，所述方法还包括退火衬底的步骤，从而形成偶极层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括夹层，其中，所述含金属和碳层形成在夹层上，其中，所述方法还包括在含金属和碳层上形成高k层，并且其中，所述方法还包括退火步骤，从而形成偶极层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述含金属和碳层形成在所述高k层上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述金属前体包括稀土金属。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述稀土金属选自钪(sc)、钇(y)、镧(la)和铒(er)。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述金属前体包括过渡金属。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述过渡金属选自ti、zr、hf、v、nb、ta、cr、mo、w和mn。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述金属前体包括环戊二烯基配体。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述金属前体包括脒基配...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·德泽拉，G·A·沃尼，P·德明斯基，B·坎南，E·J·C·刘，汤福，M·吉文斯，E·J·希罗，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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