【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及电子器件领域，并且更具体的，涉及一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统。
技术介绍
1、nand存储器件是具有功耗低、质量轻且性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。平面结构的nand器件已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3d nand存储器。在3d nand存储器结构中，采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的存储器结构。
2、但是目前3d nand器件的性能有待改善。
3、公开内容
4、本公开的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统，旨在改善半导体器件的性能。
5、第一方面，本公开提供一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件的制备方法包括：
6、形成第一堆叠层，所述第一堆叠层包括交替层叠的第一绝缘层和牺牲层，所述第一堆叠层包括在第一方向相邻的核心区、过渡区和连接区，所述过渡区位于所述核心区和所述连接区之间，所述第一方向与所述第一堆叠层的堆叠方向交叉；
7、形成位...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二连接部沿所述第一方向的尺寸范围为25～55nm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成位于所述核心区的第一栅线隔离结构和位于所述过渡区的第二栅线隔离结构的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成沿所述堆叠方向贯穿所述第一堆叠层且沿第一方向间隔排列的孔结构的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二连接部沿所述第一方向的尺寸范围为25～55nm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成位于所述核心区的第一栅线隔离结构和位于所述过渡区的第二栅线隔离结构的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成沿所述堆叠方向贯穿所述第一堆叠层且沿第一方向间隔排列的孔结构的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述孔结构进行扩孔的步骤，包括：
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，相邻两个所述第二孔结构的孔间距大于相邻两个所述第一孔结构的孔间距；相邻的所述第一孔结构和所述第二孔结构之间的孔间距，大于相邻两个所述第一孔结构的孔间距；相邻的所述第三孔结构和所述第二孔结构之间的孔间距，大于相邻两个所述第一孔结构的孔间距。
7.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法还包括：
8.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成沿所述堆叠方向贯穿所述第一堆叠层且沿第一方向间隔排列的孔结构的步骤，包括：
9.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一孔结构沿所述第一方向的最大尺寸，所述第一中部孔结构沿所述第一方向的最大尺寸，以及所述第一上部孔结构沿所述第一方向的最大尺寸均相等。
11.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第一栅线缝隙和所述第二栅线缝隙中形成填充层的步骤包括：
12....
【专利技术属性】
技术研发人员：龚帆，李贝贝，孙超，袁彬，徐伟，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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