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本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统，先形成包括第一绝缘层和牺牲层的第一堆叠层，第一堆叠层包括在第一方向相邻的核心区、过渡区和连接区，过渡区位于核心区和连接区之间。再形成位于核心区的第一栅线隔离结构和位于过渡区的第二栅线...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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