【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体芯片，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、三维存储器及其制备方法、存储系统和电子设备。
技术介绍
1、随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2d或者平面nand闪存的存储密度接近上限。为克服2d或者平面nand闪存带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器(3d nand)。通过将存储单元三维地布置在衬底之上来提高存储密度。
2、其中，具有x-tacking架构的三维存储器，将存储阵列和外围电路分别制备在两片晶圆上，并且在存储阵列和外围电路上分别形成键合层，然后通过键合工艺将存储阵列和外围电路的键合层键合，使存储阵列和外围电路形成整体结构。其中，如何在低温条件下制备得到键合层，以降低高温对存储阵列和外围电路的不良影响，是目前急需解决的一个问题。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种半导体结构及其制备方法、三维存储器及其制备方法、存储系统和电子设备，旨在降低键合层制备过程中的温度。
2、为达到上述...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述中间键合层进行脱氢处理包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述中间键合层进行脱氢处理包括：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述采用离子注入对所述初始键合层掺杂包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述采用离子注入对所述初始键合层掺杂还包括：
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述键合层中氮原子的数量与硅原子的数量比为1.6～2
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述中间键合层进行脱氢处理包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述中间键合层进行脱氢处理包括：
4.根据权利要求1～3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述采用离子注入对所述初始键合层掺杂包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述采用离子注入对所述初始键合层掺杂还包括：
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述键合层中氮原子的数量与硅原子的数量比为1.6～2.0。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述器件层远离所述衬底的一侧沉积氮化硅包括：
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述键合层包括：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述形成键合层之后，所述方法还包括：
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：王超，孙明琛，饶少凯，田仁杰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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