【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于二维碳材料，具体涉及一种基于纳米压印的石墨烯转移方法。
技术介绍
1、cvd(化学气相沉积法)是目前制备高质量、大面积石墨烯材料的主流方法，石墨烯薄膜生长在铜箔表面，为了实现石墨烯薄膜的表征、应用以及器件制备，常常需要将石墨烯薄膜从铜箔转移到石英、硅片、pet、氧化硅等各种目标衬底表面上。为了保证石墨烯的材料性能，必须对其实现清洁、完整和平滑的转移，即转移操作不会导致石墨烯片层破裂、褶皱或残留有机污染。
2、目前大面积转移金属箔基底石墨烯主要采用“湿法刻蚀”转移法，但“湿法刻蚀”转移法中，刻蚀好的石墨烯转移到目标衬底上之后，石墨烯表面与衬底之间会存留液体，水分子会污染石墨烯。
3、因此，针对上述技术问题，有必要提供一种基于纳米压印的石墨烯转移方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种基于纳米压印的石墨烯转移方法，其能够通过纳米压印实现大面积且洁净的石墨烯转移。
2、为了实现上述目的，本专利技术一具体实施例提供的技术方案如下：p>
3、一种基本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于纳米压印的石墨烯转移方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的基于纳米压印的石墨烯转移方法，其特征在于，所述微纳结构层的制备方法包括：
3.根据权利要求1或2所述的基于纳米压印的石墨烯转移方法，其特征在于，所述微纳单元包括柱状微纳单元，所述柱状微纳单元呈阵列式间隔分布；或，
4.根据权利要求3所述的基于纳米压印的石墨烯转移方法，其特征在于，当所述微纳单元为柱状微纳单元时，所述柱状微纳单元的高度大于或等于1μm，所述柱状微纳单元的横截面直径为500nm～1μm；
5.根据权利要求1所述的基于纳米...
【技术特征摘要】
1.一种基于纳米压印的石墨烯转移方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的基于纳米压印的石墨烯转移方法，其特征在于，所述微纳结构层的制备方法包括：
3.根据权利要求1或2所述的基于纳米压印的石墨烯转移方法，其特征在于，所述微纳单元包括柱状微纳单元，所述柱状微纳单元呈阵列式间隔分布；或，
4.根据权利要求3所述的基于纳米压印的石墨烯转移方法，其特征在于，当所述微纳单元为柱状微纳单元时，所述柱状微纳单元的高度大于或等于1μm，所述柱状微纳单元的横截面直径为500nm～1μm；
5.根据权利要求1所述的基于纳米压印的石墨烯转移方法，其特征在于，所述光刻胶层的材料为氟化改性丙烯酸树脂。
6.根据权利要求1所述的基于纳米压印的石墨烯转移方法，其特征在于，相邻两个所述微纳单元之间光刻胶层的厚度为2～3μm；和/或，
7.根据权利要求1或2所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘超，刘泽，褚浩宇，
申请(专利权)人：苏州新维度微纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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