一种SiNx雪崩光电探测器制备方法及器件技术

本申请提供一种SiNx雪崩光电探测器制备方法及器件，涉及半导体器件的加工工艺技术领域，所述方法包括：提供第一掺杂类型衬底，在所述衬底上进行第一掺杂类型的特定浓度掺杂形成第一外延层；在所述第一外延层上方进行第一掺杂类型的掺杂，形成第二本征外延层；对所述第二本征外延层进行第二掺杂类型的离子注入，形成第一区域；通过对所述第二本征外延层进行第二掺杂类型的离子注入形成保护环区域；其中，所述第一外延层与所述第一区域形成雪崩结区域。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种sinx雪崩光电探测器制备方法及器件。

技术介绍

1、当前，随着si材料技术的不断进步，uv增强型si基单光子雪崩二极管(spad)已能够轻松地与读出电路实现集成。然而，si材料的禁带宽度相对较窄，仅为1.12ev，这一特性限制了其在高温环境下的性能。具体而言，si基器件的暗电流水平较高，并且随着温度的升高，本征载流子浓度会显著上升，导致暗电流迅速增加。这种暗电流的上升会直接影响spad的灵敏度，降低其探测性能。在高温条件下，为了确保si基spad能够正常工作，通常需要采用昂贵的冷却系统来进行温度控制。此外，si基spad不具备可见光盲和日光盲的特性，这意味着在进行紫外光探测时，还需要额外使用价格高昂的可见光盲或日光盲滤光片来过滤掉不需要的光线，以确保探测的准确性。因此，sinx雪崩光电探测器应运而生。

2、sinx雪崩光电探测器因其灵敏度高、噪声低、光谱响应范围宽、高温工作能力强、抗辐射能力强等特性而被广泛应用于光紫外探测、激光雷达、生物检测与军事应用中。sinx雪崩光电探测器在反向偏压下工作时，其内部的电场本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiNx雪崩光电探测器制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的SiNx雪崩光电探测器制备方法，其特征在于，在所述第二本征外延层上方形成介质层，并在所述介质层内通过互联金属形成所述SiNx雪崩光电探测器的阴极；在所述衬底的第二表面上形成所述SiNx雪崩光电探测器的阳极。

3.根据权利要求1所述的SiNx雪崩光电探测器制备方法，其特征在于，所述第二本征外延层为所述SiNx雪崩光电探测器的电子空穴倍增层。

4.根据权利要求1所述的SiNx雪崩光电探测器制备方法，所述第二本征外延层的厚度小于所述第一外延层的厚度。>

5.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种sinx雪崩光电探测器制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的sinx雪崩光电探测器制备方法，其特征在于，在所述第二本征外延层上方形成介质层，并在所述介质层内通过互联金属形成所述sinx雪崩光电探测器的阴极；在所述衬底的第二表面上形成所述sinx雪崩光电探测器的阳极。

3.根据权利要求1所述的sinx雪崩光电探测器制备方法，其特征在于，所述第二本征外延层为所述sinx雪崩光电探测器的电子空穴倍增层。

4.根据权利要求1所述的sinx雪崩光电探测器制备方法，所述第二本征外延层的厚度小于所述第一外延层的厚度。

5.根据权利要求1所述的sinx雪崩光电探测器制备方法，其特征在于，所述第二本征外延层的掺杂浓度小于所述第一外延层的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的sinx雪崩光电探测器制备方法，其特征在于，所述保护环区域与所述第一区域相邻。

7.根据权利要求1所述的sinx雪崩光电探测器制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓儿，李卓，李晓栋，梅浩，卫学彬，修镜洋，刘洪伟，杨剑波，朱巧玲，
申请(专利权)人：数字宁波科技有限公司，
类型：发明
国别省市：