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本申请提供一种SiNx雪崩光电探测器制备方法及器件，涉及半导体器件的加工工艺技术领域，所述方法包括：提供第一掺杂类型衬底，在所述衬底上进行第一掺杂类型的特定浓度掺杂形成第一外延层；在所述第一外延层上方进行第一掺杂类型的掺杂，形成第二本征外延...
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