【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体结构领域，尤其涉及一种半导体结构和半导体器件以及电子器件。
技术介绍
1、常规的欧姆接触开孔刻蚀到势垒层，由于势垒层本身不导电，欧姆金属淀积后需要进行热过程扩散到沟道层形成二维电子气才能导通，促使需要选择一个温度高、时间长、稳定性好的热过程工艺，该热过程工艺温度890℃已接近机台能力上限(900℃)，并且由于欧姆金属需要穿过势垒层，所以导致导电性能不佳。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种半导体结构和半导体器件以及电子器件。
2、根据本技术实施例的第一方面，提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：
3、钝化层；
4、势垒层，所述势垒层设置于所述钝化层的一侧；
5、沟道层，所述沟道层设置于所述势垒层背离所述钝化层的一侧；
6、电极槽，所述电极槽自所述钝化层延伸至所述沟道层。
7、在一些实施例中，所述电极槽包括侧壁、底壁以及连接侧壁和底壁的过渡壁，所述过渡壁沿第一方向增长设置，所述第一方向为所述底壁...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电极槽包括侧壁、底壁以及连接侧壁和底壁的过渡壁，所述过渡壁沿第一方向增长设置，所述第一方向为所述底壁指向所述侧壁方向。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡壁全部设置于所述沟道层上。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡壁至少部分设置于所述沟道层，且沿厚度方向延伸至所述势垒层。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡壁沿第一方向的同比增长率相同设置。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电极槽包括侧壁、底壁以及连接侧壁和底壁的过渡壁，所述过渡壁沿第一方向增长设置，所述第一方向为所述底壁指向所述侧壁方向。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡壁全部设置于所述沟道层上。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡壁至少部分设置于所述沟道层，且沿厚度方向延伸至所述势垒层。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡壁沿第一方向的同比增长率相同设置。
6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡壁沿第一方向的同比增长率逐渐增加设置。
7.如权利要求2所述的半导体结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：周绍珂，余仁旭，李庆，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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