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本技术涉及一种半导体结构和半导体器件以及电子器件，所述半导体结构包括：钝化层；势垒层，所述势垒层设置于所述钝化层的一侧；沟道层，所述沟道层设置于所述势垒层背离所述钝化层的一侧；电极槽，所述电极槽自所述钝化层延伸至所述沟道层。由于本申请的电极...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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